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晶体管
SQD90P04-9M4L_GE3参考图片

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SQD90P04-9M4L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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库存:10,269(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥17.8314
178.314
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.0684
6034.2
2,000
¥9.2999
18599.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
155 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SQD90P04-9M4L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 PNP 120V DARLINGTON TRANSISTR
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:13499
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:12342
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
500:¥22.8938
800:¥22.8938
参考库存:5587
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET, SOP-8 package
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
4,000:¥1.1639
参考库存:5979
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
3,000:¥3.8872
9,000:查看
参考库存:4002
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