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晶体管
SQD90P04-9M4L_GE3参考图片

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SQD90P04-9M4L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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库存：10,269(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥17.8314
178.314
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.0684
6034.2
2,000
¥9.2999
18599.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
155 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，SQD90P04-9M4L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH110N8F7-2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
2,000:¥5.5257
4,000:¥4.9042
10,000:¥4.7234
参考库存:30788
DDTB123EU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:30791
EFC6604R-A-TR
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
5,000:¥2.2374
10,000:¥2.147
25,000:¥2.0679
参考库存:30794
APTGT300A170G
Microsemi
晶体管
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100:¥1,857.833
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DMA261050R
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:30800
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