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晶体管
DMN2019UTS-13参考图片

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DMN2019UTS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5K
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库存:10,351(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.9267
29.267
100
¥1.5933
159.33
1,000
¥1.1865
1186.5
2,500
¥1.02943
2573.575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
8.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
780 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2019
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
234 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
78 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
562 ns
典型接通延迟时间
53 ns
单位重量
158 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2019UTS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.3054
10:¥5.4918
100:¥4.2262
500:¥3.1301
3,000:¥2.2035
6,000:查看
参考库存:6469
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.5653
参考库存:2658
晶体管
IGBT 晶体管 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
1:¥32.4988
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
参考库存:2678
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥55.709
10:¥50.1042
25:¥45.6407
100:¥41.1885
参考库存:2536
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 56A 12mOhm 22nC LogLvlAB
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
参考库存:4088
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