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晶体管
SI4434ADY-T1-GE3参考图片

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SI4434ADY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.1419
131.419
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9157
4457.85
2,500
¥6.8704
17176
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
4.1 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格,SI4434ADY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
4,800:¥6.1585
9,600:查看
参考库存:9691
晶体管
IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
参考库存:5021
晶体管
MOSFET 350V 25Ohm
1:¥9.9892
10:¥9.831
25:¥8.2942
100:¥7.5145
参考库存:6404
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:18321
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:11237
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