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晶体管
FGY40T120SMD参考图片

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FGY40T120SMD

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数量单价合计
1
¥85.2133
85.2133
10
¥77.066
770.66
25
¥73.4613
1836.5325
100
¥63.7772
6377.72
250
¥60.9296
15232.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
882 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGY40T120SMD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
7.629 g
商品其它信息
优势价格,FGY40T120SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310HS/CFM4F///REEL 13
1:¥743.653
5:¥729.2116
10:¥705.1652
25:¥675.2654
参考库存:23562
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Complementary Bpolar Digital Transistor
1:¥2.3843
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
10,000:¥0.31527
20,000:查看
参考库存:11263
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.8313
250:¥14.9838
500:¥13.447
1,000:¥11.30
参考库存:5421
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:6936
晶体管
MOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
1:¥7.0738
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,500:¥2.8928
9,000:查看
参考库存:13458
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