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晶体管
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FDN86501LZ

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库存:4,034(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2885
728.85
500
¥6.4523
3226.15
3,000
¥4.5087
13526.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
198 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
系列
FDN86501LZ
晶体管类型
1 N-channel
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
1.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.6 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDN86501LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥6.1472
10:¥5.1076
100:¥3.2996
1,000:¥2.6329
2,500:¥2.6329
参考库存:6375
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
4,000:¥0.51528
参考库存:18131
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power PNP
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
参考库存:4155
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 10V
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:6082
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:6152
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