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晶体管
TSM180N03CS RLG参考图片

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TSM180N03CS RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET
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库存:6,291(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.2318
32.318
100
¥2.4069
240.69
500
¥1.7628
881.4
2,500
¥1.2091
3022.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.8 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
商品其它信息
优势价格,TSM180N03CS RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 2A 1500V 13OHMS TO263
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
800:¥15.594
2,400:查看
参考库存:31820
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 80V PNP
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:261829
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
800:¥4.8816
参考库存:8567
晶体管
MOSFET N-channel 30 V 1.5 mo FET
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥15.4471
250:¥14.5996
800:¥11.0627
2,400:查看
参考库存:4658
晶体管
MOSFET NFET 25V/8V 75mA 350
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:28421
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