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晶体管
DMP32D4S-13参考图片

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DMP32D4S-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.0227
20.227
100
¥0.92999
92.999
1,000
¥0.71416
714.16
10,000
¥0.5537
5537
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
540 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP32
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
21.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.8 ns
典型接通延迟时间
9.86 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
20,000:查看
参考库存:20735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:31702
晶体管
MOSFET P-CH -20 V -1 A
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:19310
晶体管
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1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:3691
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:10102
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