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晶体管
TSM900N06CW RPG参考图片

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TSM900N06CW RPG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet
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库存:13,230(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3787
33.787
100
¥2.5425
254.25
500
¥1.8645
932.25
2,500
¥1.2769
3192.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
76 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.3 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
5.3 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格,TSM900N06CW RPG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:5616
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Enh FET 500mA 350Vcbo 350Vceo
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:4916
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 1A 3-PIN
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:7535
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General-purpose bipolar transistors
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
参考库存:6817
晶体管
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1.0A -30V -20VGS
1:¥3.1527
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:10731
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