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晶体管
IRGS30B60KTRRP参考图片

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IRGS30B60KTRRP

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数量单价合计
1
¥31.0411
31.0411
10
¥26.3516
263.516
100
¥22.826
2282.6
250
¥21.6734
5418.35
800
¥16.3624
13089.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
370 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
78 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535976
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRGS30B60KTRRP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:44867
晶体管
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1:¥12,416.6547
5:¥12,218.1024
参考库存:5025
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 25V 0.5A
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:44872
晶体管
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1:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,000:¥3.3335
参考库存:44875
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥21.131
10:¥19.0518
25:¥17.063
100:¥15.368
参考库存:44878
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