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晶体管
IKW75N60TA参考图片

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IKW75N60TA

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库存:1,388(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥78.6819
78.6819
10
¥71.1561
711.561
25
¥67.8452
1696.13
100
¥58.8617
5886.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N60TAFKSA1 IKW75N6TAXK SP000647368
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,IKW75N60TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
4,000:¥2.5425
参考库存:6971
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
参考库存:6006
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6784
100:¥7.91
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥7.2998
10:¥6.2037
100:¥4.7686
500:¥4.2149
参考库存:4654
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC114EMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:12912
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