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晶体管
IRFHM8329TRPBF参考图片

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IRFHM8329TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3
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库存:5,751(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9663
39.663
100
¥2.5538
255.38
1,000
¥2.0566
2056.6
4,000
¥2.0566
8226.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
56 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
74 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001566808
商品其它信息
优势价格,IRFHM8329TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 BIP DPAK NPN 2A 100V TR
1:¥5.989
10:¥4.9833
100:¥3.2092
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1696
参考库存:100922
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
1:¥867.1394
5:¥851.229
10:¥812.8881
25:¥785.8472
参考库存:3434
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.5262
5,000:¥10.7576
参考库存:24039
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.1471
10:¥3.4804
100:¥2.1244
1,000:¥1.6498
2,500:¥1.4012
参考库存:5915
晶体管
MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:3931
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