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分立半导体模块

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power MOSFET Modules
类型	SiC Power MOSFET
Vf - 正向电压	4 V
Vgs - 栅极-源极电压	- 10 V, 20 V
安装风格	Press Fit
封装 / 箱体	Easy1B-2
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tray
配置	Dual
商标	Infineon Technologies
晶体管极性	N-Channel
下降时间	13 ns
Id-连续漏极电流	25 A
工作电源电压	-
Pd-功率耗散	20 mW
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻	45 mOhms
上升时间	7.2 ns
工厂包装数量	24
子类别	Discrete Semiconductor Modules
商标名	CoolSIC
典型关闭延迟时间	38.5 ns
典型接通延迟时间	11.5 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	3.5 V
零件号别名	DF23MR12W1M1_B11 SP001602244

商品其它信息

优势价格，DF23MR12W1M1B11BOMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
F18107D1600	Crydom	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 POWER THYRISTOR MODULE	1:¥860.2238 10:¥819.2726 25:¥800.6728 50:¥782.0052	参考库存:42989
DDB6U104N16RR	Infineon Technologies	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 1600V 105A UN-CNTL	1:¥542.5695 5:¥532.6594 10:¥518.8282 25:¥508.6808	参考库存:2326
APTM50HM38FG	Microsemi	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 Power Module - Mosfet	100:¥1,558.2361	参考库存:42994
APTMC120AM55CT1AG	Microsemi	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 Power Module - SiC	1:¥1,844.6233 5:¥1,799.1295 10:¥1,755.8731 25:¥1,692.0168	参考库存:42997
APTMC170AM60CT1AG	Microsemi	分立半导体模块	PDF数据手册	分立半导体模块 Power Module - SiC	100:¥3,693.3937	参考库存:43000